NAND Flash简介

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NAND Flash根据一个存储器单元划分能级的数量(即存储几个bit数据),可以将产品划分为SLC(Single-Level Cell),MLC(Multi-Level Cell),TLC(Trinary-Level Cell)。划分能级越多,存储密度越大,对应同等面积的晶圆可以生产出更大容量的产品,就单颗芯片来说,同等容量的NAND Flash,MLC和TLC具有绝对的价格优势,但也牺牲了部分性能。

3D产品升级

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随着2D NAND Flash的制程更新,Cell面积缩小,单位面积产出容量变大,功耗便会有所降低,同时其中存放的电子总量也会随之减少,容易因为漏电而导致数据出错。此外,Cell之间分布得越紧密,在读写的时候就越容易出现彼此间的干扰。所以,这就要求到NAND Flash往3D布局的方向进行升级。

电流方向及串扰范围

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3D NAND以垂直半导体通道的方式进行排列,多层环绕式栅极(GAA)结构形成多电栅级存储器单元晶体管,可以有效地降低堆栈间的干扰。3D技术不仅提升了产品性能,而且在功耗方面也有所降低。

IDA(Initial Data Acceleration)

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设置IDA区域,目的是为了减小存储产品SMT在高温过炉时丢失数据的风险。同时,IDA的存在还可提高读写性能,降低首次系统烧录的时间。配合longsys烧录器,相比同类型产品其烧录速度可增加1倍以上。

Cache mode 的几大优点

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  • 可大幅度提升IOPS(每秒I/O的访问次数);
  • 减少写入NAND Flash的数据量,延长产品使用寿命;
  • 可对日志型文件系统(如Android常用的EXT4等)进行特别优化;
  • 可提升随机写性能,从而提升系统流畅性及用户体验。

断电保护算法

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相对Raw NAND Flash掉电中可能存在的数据损毁隐患,eMMC在Power-loss环境下进行特别优化。针对RAW NAND Flash丢程序问题,我们通过断电保护算法,保证系统的预置数据完整。同时,为了避免关键数据出错,我们还进行Sector级别的数据保护,排除写入数据的不确定性。

数据安全

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  • 写保护SSD:只需拨动写保护开关,即可锁定SSD上的数据不被删除或者篡改;
  • 数据销毁功能SSD:在上电的情况下长按销毁数据键,即可实现SSD上的数据在物理上彻底删除,无法恢复,保证用户隐私不被泄露;
  • 数据加密SSD:longsys独有的加密技术,通过一系列的数据转换方法,对存入信息进行另类加密,以保护用户隐私不被侵犯;
  • 防拷贝/防读:SD卡内有重要的机密文件,为了防止被窃取利用,SD Firmware可配合进行相关的数据加密。在已加密的情况下,用户无法读取该卡片资料,甚至无法读到磁盘。当SD卡收到特殊指令进行解锁后,用户便可对内部文件进行正常读写操作
  • 防删除:SD卡内保存了重要文件(如系统文件、影音文件等),为了防止被用户误删除,SD Firmware支持将重要分区内的数据进行保护,在未被授权的情况下,受保护的分区内数据都是无法被删除或修改的。